HBM 高带宽内存 · 行业认知研究报告

第一章 · 总论：HBM 是一门什么生意

1.1 一句话定义与边界

HBM 是把多片 DRAM 裸片垂直摞起来、用穿透硅片的铜柱连通、再整体贴到逻辑芯片旁边的一种内存。它的存储单元与普通 DRAM 没有区别，区别全部发生在「摞起来」这件事上。

这句话里有三个要点，后面各章反复用到。

其一，HBM 的前道制造就是 DRAM 的前道制造。每一层 HBM 存储裸片的前道结构仍然是 DRAM 的 1T1C 单元（即一个晶体管加一个电容构成一个存储位），晶圆流程包括存取晶体管、字线、位线、高深宽比电容及金属互连制造；HBM 与普通 DRAM 的差别出现在 TSV 和堆叠环节（国泰海通《半导体设备行业深度研究：下游需求倒灌叠加国产替代共同驱动设备景气度提升》2026-08-31）。这意味着 HBM 的产能不是新增产能，是从 DRAM 产能里切出来的。

其二，带宽是用面积换的。每个 HBM3E 堆栈通过 1024 位总线提供 TB/s 级带宽，这个位宽是 DDR5 的 64 位的 16 倍；代价是晶体管密度只有等效 DDR 的约 46%，且每片裸片面积约为同容量 DDR 裸片的 2 倍（中信建投 2026-07-24）。美光自己披露的数字从另一侧印证：HBM4 每颗裸片有 256 个 bank（即可独立寻址的存储阵列分区），是 HBM3E 的 2 倍、DDR5 的 8 倍；同样容量下，HBM3E 消耗的晶圆面积约为 DDR5 的 3 倍，并且逐代恶化（美光披露，转引自腾讯网《「HBM 之父」371 页预言对答案》2026-09-17）。

其三，HBM 不能单独使用。它必须和逻辑芯片装在同一块封装基板上，中间靠硅中介层（即一片只做布线、不做运算的硅片，用来把上面各颗芯片的引脚以极细的线距连起来）连通，所以它的出货节奏受制于两条产能曲线——DRAM 晶圆和先进封装，缺一不可。

本报告写什么：上面这条从 DRAM 裸片到与 GPU 合封的完整链条，各环节分别赚什么钱、谁在赚、凭什么赚，以及未来两到三年什么会改变它。

本报告不写什么：通用 DDR 与 NAND 本身（这两块只在讲价格挤出与产能挤出时作为对照出现）、GPU 芯片的设计与制造、服务器整机与云厂商的资本开支决策。分销与渠道虽然在财务上与 HBM 高度相关，但它不生产这条链上的任何一段，因此不计入环节，归位见 10.6 节。

这条边界不是学术洁癖，它直接决定了公司怎么归位。举一个 A 股的实例：太极实业的控股子公司海太半导体是 SK 海力士在中国大陆的 DRAM 后工序服务商，双方合资、55% 与 45% 持股，后工序服务产品全部销往 SK 海力士（太极实业《2025 年年度报告》第三节）。看上去它与 HBM 的关系近得不能再近。但公司在 2026-02-13 的投资者互动回复中明确表示「目前公司半导体业务不涉及 HBM 产品」（太极实业互动平台回复，转引自今日头条《风口解读》2026-06-25）。DRAM 后工序不等于 HBM 后工序——前者是把已经做好的颗粒封成内存条或颗粒级封装，后者是把裸片摞起来打通硅通孔，是两套设备、两套工艺、两套认证。

1.2 产业链全景

下面这张图是本报告后续所有章节的地图。它按「与普通 DRAM 共用」和「HBM 专有」两个维度切开，并把本报告明确排除的四块用虚线单列。

图 1 · HBM 产业链全景与本报告边界

数据来源：本报告依据国泰海通《半导体设备行业深度研究》2026-08-31 的 HBM 工序拆解、财通证券《洁净室专题（二）》2026-08-18 的产能口径、深圳市电子商会《HBM 基底裸片「双轨制」》2026-09-17 的基底裸片路线整理。本报告界定的九个环节是：上游材料、上游设备、DRAM 核心裸片制造、TSV 加工与晶圆减薄（下文一律简称「TSV 加工」）、堆叠键合、HBM 成品测试、基底裸片、与 GPU 合封（CoWoS）、封装基板与载板。九个环节的名称全篇以此处为准。图中「下游买方」一行的三格是本报告界定环节的买方，不计入任何环节；虚线框为本报告明确排除的四块。

这张图要传达三件事。

其一，这条链的分岔点在第二行和第三行之间。第二行（DRAM 核心裸片）是 HBM 与通用 DDR5 共用的产线，一片晶圆投下去，做什么由原厂按利润排；第三行（TSV 加工与堆叠键合）才是 HBM 专有的。所以「HBM 缺货」和「DDR5 涨价」从来不是两件事，它们是同一张产能表的两端。

其二，基底裸片这一行在 2026 年从灰色变成了关键色。HBM3E 之前它只承担信号转接、电源分配与测试辅助功能，是名副其实的被动桥梁，整个 HBM 的技术壁垒与产能瓶颈都集中在 DRAM 制造环节；HBM4 起它转向逻辑工艺，成为迭代主线（深圳市电子商会 2026-09-17）。这意味着一家逻辑代工厂进入了存储的价值链。

其三，图里没有一个方框的主要供给者在 A 股。第一行（材料与设备）有中国大陆的参与者，第二、三、四行没有一家 A 股上市主体，第五行（CoWoS 与载板）有配套但不在主力位置。这就是本报告第十章必须先写明「主要供给者不在 A 股」的原因。

1.3 六代演进：HBM4 是一个断点，不是一次升级

HBM 从 2014 年的第一代到今天的第六代，遵循的规律是堆叠层数与位宽同时抬升：HBM1 四层堆叠，HBM2／2E 增至 8 至 12 层，HBM3／3E 带宽突破 1TB/s、堆叠达 12 至 16 层（股市挖矿工《HBM 国产化破局》2026-04-16，第三档证据）。

HBM4 与前五代的差别不是「再多摞几层」，是三件事同时换了：

表中位宽、JEDEC 标称速率与单堆栈带宽引自中信建投 2026-07-24 给出的代际规格锚；基底裸片工艺一列见 2.4 节。需要特别说明「标准降速、厂商超频」这一行：JEDEC 给 HBM4 的标称引脚速率是 6.4 Gbps，但已公开的产品规格高于这个数——三星的 HBM4 引脚速率（即每根数据线每秒能传的比特数）达 11.7 Gbps，较 HBM3E 的 8 Gbps 档高出约 46%（深圳市电子商会 2026-09-17，属第三方转述）；另两家的实际引脚速率本报告未取得可核口径。英伟达在 2025 年下半年要求供应商把 HBM4 的每引脚速率调升至 10 Gbps，以对应 AMD 2026 年推出的 MI450 Helios 平台（TrendForce《英伟达尝试调升 HBM4 规格》2025-09-18）。

这一段解释了一个常被误读的现象：HBM4 的「规格」不是 JEDEC 说了算，是买方说了算。标准只划下限，真正的规格线由英伟达按它自己的产品路线图逐年抬。这也是为什么每一代 HBM 的验证周期都要重来一遍——验的不是标准符合性，是买方的定制要求。

1.4 一颗 HBM 的成本长什么样

公开渠道能查到的 HBM 分环节成本拆解非常少，可核的价格序列只有一条。德邦证券转引的一项学术测算给出了各代 HBM 的平均价格：HBM2 最高价格 73 美元，HBM2E 157 美元，HBM3 233 美元，HBM3E 372 美元，HBM4 预计达到 560 美元（德邦证券《产业经济周报》2025-10-13，引陈煜海等《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》）。同一份资料给出单位 GB 价格的对照：2019 年普通 DRAM 单位 GB 价格为 0.49 美元，而 HBM2 为 11.4 美元，高出 23 倍；HBM2E 刚上市时 13.6 美元，高出 28 倍；HBM4 预计上市时 14.7 美元，高出近 30 倍。

韩国媒体在 2025 年 11 月报道的 2026 年供货谈判价与这条序列对得上：12 层 HBM4 一颗约 560 美元，比 HBM3E 贵约一半（转引自腾讯网 2026-09-17，本报告未取得韩媒原文，列为孤证）。

注意这两组数字的性质不同。「单位 GB 价格高出 23 至 30 倍」用的是 2019 年的普通 DRAM 价格作分母，那是上一轮周期的底部价；到 2026 年，分母已经涨了一个数量级，这个倍数关系完全不成立了——这正是第五章要展开的事。用旧周期的价差去推今天的利润结构，是当前关于 HBM 最常见的一类错误。

1.5 生命周期定位

用三个可观测的信号判断这条链所处的阶段。

信号一，三家内部的格局已经定型。与大多数高景气产业链不同，HBM 的竞争不发生在新进入者之间，而是三家里有一家在 HBM3 世代掉队、另一家跳代追赶。美光跳过 HBM3 世代，用 1-beta 制程（即该公司 10 纳米级 DRAM 的第五代工艺节点）全力押注 HBM3E，凭低功耗通过英伟达验证，在 HBM3E 世代完成了从落后到并列的追赶（东北证券《海外存储深度报告（一）》2026-04-24）；三家份额的位次与变动见 2.1 节，本报告不给单一份额数字。这是成熟寡头格局的特征，不是成长早期的特征。本信号说的是三家之内的位次，不是参与者总数：长鑫存储与南亚科技已开始导入 TSV 产能，2026 年不改变 95.5% 集中在三家的格局，其影响落在 2027 年以后的供给曲线上（见 2.2 节、2.6 节）。

信号二，客户开始预付现金锁产能。这是供给侧定价权达到顶点的标志，详见第四章。

信号三，价格溢价正在收敛。第五章会给出数据：HBM 对通用 DRAM 的溢价在 2026 年消失。一个产品的技术溢价消失，通常意味着它的稀缺性正在从「技术稀缺」转向「产能稀缺」——两者的定价逻辑完全不同。

综合三个信号，本报告的判断是：HBM 作为一项技术已经走出成长早期，作为一门生意正处在「技术领先者的超额利润被产能约束的普涨行情稀释」的阶段。这个判断的意思是，2026 年三家存储厂的利润暴涨，主要来源不是 HBM 领先，而是整个 DRAM 市场的价格重估。第五章会用美光的分部数据验证这一点。

1.6 这门生意的三个反直觉之处

在进入细节之前，先把三件与直觉相反、但贯穿全文的事说清楚。

其一，HBM 不是一个「新增需求」，它首先是一个「产能转移」。

每多做一片 HBM 的 TSV 晶圆，就少一片可以做 DDR5 的晶圆，而且不是一比一：同样容量下 HBM3E 消耗的晶圆面积约为 DDR5 的 3 倍（美光披露，转引自腾讯网 2026-09-17）。所以 HBM 需求爆发的第一效果不是 HBM 涨价，而是通用 DRAM 缺货涨价——后者的涨幅在 2026 年第一季度达到环比 90% 至 95%（TrendForce 数据，转引自爱建证券《电子行业周报》2026-05-06）。这个传导链条解释了为什么 2026 年存储行业的利润暴涨发生在所有产品上，而不只发生在 HBM 上。

其二，HBM 的壁垒不在「摞得起来」，在「摞起来还能良率可控地卖给英伟达」。

TSV 打孔、微凸点电镀、逐层热压键合，这些工艺在实验室里不难复现。真正的门槛在三处：一是良率，HBM 因封装和 TSV 环节的良率损耗，毛利率约为 50% 至 70%，而常规 DDR 产品的行业平均毛利率普遍在 80% 以上（新浪财经 2026-08-08，孤证）；二是认证周期，每一代产品都要重新走一遍买方验证，按 TrendForce 在 2026 年 2 月的预计，HBM4 的验证将于 2026 年第二季度完成（TrendForce《预计 HBM4 验证将于 2026 年第二季度完成，三大原厂供应英伟达的格局有望成形》2026-02-13，为预期而非观测）；三是交付，在客户需求超过供应能力的环境里，按时交付请求量本身已成为核心竞争力（SK hynix《2Q26 Financial Results》2026-07-29，公司表述，属厂商自述）。

其三，这条链的定价权正在从「谁技术领先」转向「谁签得下长约」。

按同一份预计，三大原厂供应英伟达 HBM4 的格局有望成形（TrendForce 2026-02-13）。当三家都能供货，定价权就不再来自独家资格，而来自谁能把产能锁进多年期合同、以及锁进去的价格条款长什么样。美光披露的合同结构给出了这个问题的答案（见 4.3 节），而那个答案对卖方不完全有利。

1.7 利润在这条链上怎么分

把前面几件事合起来，可以先给一张全局表，后面各章逐段展开。这张表回答的是「每一段凭什么收钱」，不是「每一段值多少钱」。

表中各行的出处见对应节次，此处不重复标注；本表按利润归属的落点分段，与 1.2 节界定的九个环节不是同一套（TSV 加工与堆叠键合合并为一行，分销与渠道不计入环节，见 1.1 节）；「先进边缘 2.5D 产能约 80%–95% 集中在一家」一行属第三档证据，见 7.4 节的说明。

这张表里有一条规律值得先点出来：议价能力来自认证周期，不来自技术难度。 封装材料的工艺复杂度远低于 DRAM 制程，但它一旦进了存储厂的认证名单，更换的代价就是整条产线重新验证；而分销商握着全球排名前列的原厂授权，毛利率却不到 4%，原因是授权可以随时增发第二家。第八章讨论国产替代时，这条规律是主要的判断依据。

第二章 · 供给侧：谁在供、产能怎么排

2.1 市场份额：五个口径，没有一个能直接拿来用

关于「SK 海力士占 HBM 市场多少份额」，公开渠道至少流传五组数字，它们彼此差距最大到 22 个百分点。先把它们并排放好：

这五行不能接成一个区间，原因有三条，逐条说明。

第一条，计量基础不同。出货量份额与营收份额在 HBM 上不是一回事：三家的产品结构不同（12 层与 8 层混卖、HBM3E 与 HBM4 混卖），单价差可以到 50%。2025 年第二季度 Counterpoint 的出货量口径给三星 17%、美光 21%，而同机构第四季度的营收口径给三星 22%、美光 21%——三星在营收口径上的位置明显好于出货量口径，这本身就是产品结构的信息，不是矛盾。

第二条，时点不同且这个市场变化极快。2026 年第一季度三星的份额约 21%，而 TrendForce 对 2026 年全年的出货量预估给到约 39%。这两个数之间隔着一个事件：三星在 2026 年 2 月率先量产 HBM4 并向客户交付（太平洋证券《电子行业深度报告：海外视角看 AI 硬件产业》2026-06-16）。TrendForce 在复盘 2026 年第二季度 DRAM 产业时的表述是，三星「率先导入 HBM4 量产并出货」，该季营收季增 63.4% 至 609.8 亿美元、以 39.4% 的市占排名第一；SK 海力士该季营收 385.9 亿美元、市占小幅下滑至 24.9%；美光营收 360 亿美元、市占略增至 23.3%（TrendForce《2Q26 DRAM 产业营收季增 59.5%》2026-09-07）。

这里要提醒一个极易混淆之处：上面这三个百分比是整体 DRAM 的市占率，不是 HBM 的市占率。 把 DRAM 份额当作 HBM 份额引用，是公开讨论里另一类高频错误。

第三条，最后一行的美光 8% 与其余四行差得太远，本报告不采用它作为任何判断的依据。同一机构在 2025 年给美光约 22%，一年后给到约 8%，而美光在这一年里于 2026 年 6 月宣布 HBM4 已向主力客户平台大批量出货（Micron Technology《FY2026 Q3 Press Release》2026-06-24，公司一手披露，该文件未点名客户）。两者互相矛盾，本报告未能取得该口径的统计说明。

归一之后能用的结论只有一句：SK 海力士在 2025 年至 2026 年第一季度稳定占据 HBM 的一半以上，三星在 2026 年因率先量产 HBM4 而显著回升，美光稳定在 20% 上下；三家合计接近全部市场。任何比这更精确的份额数字，本报告都不给。

2.2 真正的计量单位：TSV 晶圆，不是颗数

份额之所以难统计，根子在于 HBM 的「一颗」不是一个稳定的单位——8 层和 16 层都叫一颗，24GB 和 64GB 也都叫一颗。产业内部真正用来排产能的单位是 TSV 晶圆加工产能。

这个口径的合理性在于：TSV 加工是 HBM 区别于普通 DRAM 的关键环节，它的晶圆加工产能能够反映 HBM 专用生产能力（财通证券 2026-08-18 对 TrendForce 口径的转述）。换句话说，一片晶圆一旦进了 TSV 产线，它就只能做 HBM 了。

按这个口径，2025 年至 2026 年的图景是：

图 2 · HBM 的 TSV 晶圆产能与 DRAM 总投片产能（万片／月）

数据来源：TrendForce 数据，转引自财通证券《洁净室专题（二）：从存储研判洁净室远期空间》2026-08-18。TSV 占比为本报告计算：36.5 ÷ 196.6 = 18.6%，47.1 ÷ 218.1 = 21.6%。

这张图要说的是四件事。

第一件，TSV 产能的增速（29.0%）接近 DRAM 总投片增速（10.9%）的三倍。这意味着 HBM 不是「和 DRAM 一起增长」，是在 DRAM 内部持续扩大占比。本报告计算的两个占比——2025 年 18.6%、2026 年 21.6%——与 TrendForce 自己给出的「2025 年 18%、2026 年 22%」完全吻合（TrendForce 2026-06-02）。这两组数同出 TrendForce，属同一信源在两个渠道的口径自洽，不构成外部交叉验证；本报告用它是因为它是公开渠道唯一给出该比例的口径，不是因为它被第二家证实。

第二件，21.6% 这个比例的含义常被低估。HBM 占掉超过五分之一的 DRAM 投片产能，但它只贡献约 9% 的位元供给（TrendForce 给出的 2025 至 2027 年位元供给占比分别为 8%、9%、约 13%，见 2026-06-02 发布）。用五分之一的晶圆换不到十分之一的位元，这个落差就是通用 DRAM 在 2026 年涨价的物理原因。 一个同源可对照的数：2025 年 HBM 出货量（位元口径）占 DRAM 比重由 2024 年的 5% 提升至 8%，销售额占比由 19% 提升至 33%（TrendForce 数据，转引自半导体产业纵横，见路维光电《2025 年年度报告》）——位元 8% 与 TrendForce 直接发布的 8% 一致，两处同出一家。

第三件，这 10.6 万片的增量分布极不均匀。2026 年的 TSV 产能里，三星、SK 海力士与美光合计占 95.5%，而 SK 海力士与美光两家就贡献了同期产能增量的 89.6%（TrendForce 数据，转引自财通证券 2026-08-18）。换句话说，三星虽然在 2026 年第二季度凭 HBM4 拿回了 DRAM 的市占首位，但这一轮 HBM 专用产能的扩张主要由另外两家完成。增量的分布比存量的分布更能说明下一年的格局，这也是本报告在 2.1 节不采用任何单点份额数字、却愿意采用这组增量占比的原因——增量占比只依赖产能统计，不依赖对产品结构与售价的假设。

第四件，第四家已经在门口。长鑫存储与南亚科技已开始导入 TSV 产能，这句话来自 TrendForce 的产能统计而非厂商宣传。它不改变 2026 年的格局（95.5% 仍在三家手里），但它是 2027 年以后供给曲线形状的变量。

2.3 扩产：三家的节奏与一处口径分歧

三家 2026 年的 HBM 扩产计划，公开渠道能查到两组互相冲突的数字，本报告两组都列出来，不做取舍。

第一组来自国海证券转引的产业媒体口径：三星计划到 2026 年末将 HBM 月产能提升至 25 万片晶圆（12 英寸口径），相较 2025 年末约 17 万片增幅约 47%；SK 海力士的 HBM 产能 2025 年底约为每月 15 万片，占其 DRAM 总产能 54.5 万片的约 28%，DRAM 总产能预计到 2026 年底增至每月 60 万片、增量的 90% 以上将用于 HBM，即 SK 海力士 HBM 月产能到 2026 年底增长至 20 万片（国海证券《计算机行业专题研究：国产算力的 HBM 供应何解？》2026-09-17，转引电子工程专辑）。东北证券在更早的时点给出同向的数字：海力士和三星 TSV 月产能有望分别达到 20 万片、25 万片（东北证券 2026-04-24）。

第二组来自开源证券的预测：2026 年底三星／海力士／美光／长鑫的 TSV 工艺（HBM）晶圆加工月产量分别达到 15／25／10／6 万片，2028 年提升至 35／40／20／18 万片（开源证券《港股公司深度报告：AI 驱动后道设备景气上行》2026-09-13）。

两组的分歧在三星和 SK 海力士的位置正好对调。本报告不判断哪一组对，但可以做一次量纲检查：第一组的三家合计约为 25＋20＋美光（未给）；第二组三家合计为 15＋25＋10＝50 万片，加长鑫 6 万片为 56 万片。而 TrendForce 给出的 2026 年全行业 TSV 产能是 47.1 万片/月。第二组的合计数超出了 TrendForce 的全行业数近 19%（本报告计算：56 ÷ 47.1 − 1 = 18.9%；两组的时点口径是年末值还是年度值，公开渠道均未标明，本报告不排除该差额有一部分来自时点口径差异），第一组无法完成合计。因此本报告在正文中只采用 TrendForce 的行业合计口径（47.1 万片/月），各厂单独的产能数字一律作为方向性参考，不用于任何测算。

扩产的实物载体是可核的。SK 海力士在 2026 年第二季度业绩说明中写明：公司正在加快 M15X 的量产排程，并为 2027 年初龙仁一期洁净室开放后的快速扩产做投资准备；中长期投资计划包括新公布的 P&T7 先进封装厂、M17 NAND 生产基地以及新半导体集群的开发，将按客户需求与投资效率分阶段执行（SK hynix《2Q26 Financial Results》2026-07-29，公司一手披露）。三星方面，公司计划在牙山建设 5 条 HBM 先进封装产线，新厂将配置约 3.1 万平方米洁净室，并同步扩充和改造天安的 HBM 相关设备（财通证券 2026-08-18）。

注意这两段话里的时态：龙仁一期是 2027 年初开放，P&T7 是「新公布」的计划，牙山 5 条线是「计划建设」。这些都不是已投产产能。2026 年可交付的 HBM，来自的是已经在跑的 M15、M15X 与平泽、天安的既有产线。

2.4 基底裸片：一家逻辑代工厂走进了存储的价值链

本报告认为，HBM4 世代最值得关注的结构变化不在层数，在基底裸片。

先解释它是什么。HBM 由多层垂直堆叠的 DRAM 核心裸片与底部的基底裸片组成，层间以硅通孔连接，基底裸片内置 PHY 接口（即把并行的存储信号转换成能与 GPU 高速交换的物理层电路），负责管理上方所有 DRAM 芯片并与逻辑芯片交换数据（深圳市电子商会 2026-09-17）。在 HBM3E 及以前，它长期沿用成熟的 DRAM 衍生工艺，仅承担信号转接、电源分配与测试辅助功能。

HBM4 把它换成了逻辑工艺，三家由此分成三条路：

表中三星与 SK 海力士两行引自深圳市电子商会《HBM 基底裸片「双轨制」》2026-09-17 与搜狐《HBM 正在被重新定义》2026-08-27；「HBM4 已吃掉三星约一半的 4nm 产能」一句引自前者。美光一行引自与非网《美光确认台积电制造下一代 HBM 基础裸片》2026-09-19，本报告未取得美光的一手确认，该条列为孤证。SK 海力士与台积电在 HBM4 上的合作则有公司一手表述可核：SK 海力士在其官方新闻稿中确认，从 HBM4 开始与台积电合作，将先进逻辑工艺应用于基础裸片（转引自 BT 财经 2026-09-08）。

这个变化的经济含义有三层。

第一层，成本上升。台积电供应的 HBM4 基底芯片成本约为 SK 海力士自身 1b 工艺核心芯片的 3 至 4 倍（与非网 2026-09-19，孤证）。这是一笔实打实的、以前不存在的外部采购成本。

第二层，议价权转移。当两家存储厂的基底裸片都要排台积电的产线，而台积电同时又是 CoWoS 的主要供给方（见 7.2 节），这家公司在 HBM 供应链上就同时握住了两道闸门中的一道半。

第三层，也是最容易被忽略的一层：买方开始自己做这一段。英伟达在 2025 年 8 月宣布自研 3 纳米基底裸片，计划 2027 年下半年试产（深圳市电子商会 2026-09-17）。如果这件事兑现，HBM 的供应结构会变成「存储原厂提供 DRAM 裸片 ＋ 英伟达自研基底裸片」的组合，存储厂在这颗产品里的份额与定价空间都会下移一档。请注意这里的时态：宣布、计划试产，都不是已量产。

2.5 堆叠工艺：三条路线，以及混合键合为什么还没来

把十几层裸片摞起来并让它们同时导通、散热、不翘曲，目前有三种工艺路线：

MR-MUF（Mass Reflow - Molded Underfill，批量回流加模塑底部填充，即先把整叠芯片一次性回流焊接，再把液态保护材料注满缝隙）是 SK 海力士的主线。TC-NCF（Thermal Compression - Non Conductive Film，热压键合加非导电胶膜，即每放一层芯片就用加热的压头压合一次）是三星与美光采用的路线，适合高层堆叠（股市挖矿工 2026-04-16，第三档证据；该分工另见下文各厂进度的一手描述）。混合键合（Hybrid Bonding，即铜对铜直接键合，不再需要焊球，两片芯片的铜垫直接贴合导通）被普遍视为下一代方向。

关键问题是：混合键合什么时候来？三家的答案在 2026 年已经比较清楚，而且不一致：

SK 海力士在 2026 年第四季度启动 HBM4 16 层无助焊剂键合技术的全面评估，但 HBM4／4E 主线产品将继续沿用 MR-MUF 模塑工艺；三星已送样 HBM4 混合键合产品，但目前良率仅为 10%，预计 HBM4E 可能实现混合键合的部分商业化；美光将混合键合技术的商业化时间推迟至 2028 年，以确保当前产能稳定与客户交付可靠性（开源证券 2026-09-13）。

这段话里有一个对判断很关键的信息：混合键合在 HBM4 世代不会成为主流工艺。 这一点直接影响对国产设备的判断——如果国产厂商把突破口押在混合键合上，那么它对应的窗口不是 2026 至 2027 年，而是 HBM4E 以后。第八章会回到这个问题。

2.6 第四家与第五家：长鑫存储走到哪一步

长鑫存储是非上市公司，本报告只陈述可核的公开信息，不作评价。

关于它在 HBM 上的位置，公开渠道存在两种时态不同的说法，本报告两条都列，并指出它们的差别：

一种说法是「已经在做」。长鑫存储已成长为全球第四大 DRAM 生产商，同时已开始小批量生产 HBM3E，计划 2027 年扩大规模（国金证券《通信行业研究：HBM 市场极度紧缺》2026-09-06）。

另一种说法是「计划要做」。公司计划 2026 年底启动 HBM3 小规模试产，2027 年实现规模化投产；2026-06-22，长鑫存储自主研发的 HBM3 高带宽内存样品完成国内头部云厂商首轮适配验证（天风证券《十年破局 DRAM 垄断，算力＋国产替代双轮驱动成长》2026-09-17）。

这两条相差一个世代（HBM3E 对 HBM3）和一个阶段（小批量生产对小规模试产）。本报告不裁定哪一条准确，但必须指出：在没有一手披露的情况下，把「完成首轮适配验证」写成「已量产」，或者把「小批量生产」写成「规模量产」，都是层级放大。可核的共同点只有两条——第一，长鑫的 HBM 已经有实物样品并进入客户验证；第二，规模化的时点各方都指向 2027 年。

南亚科技的情况更简单：它与长鑫一样被 TrendForce 列为「已开始导入相关产能，但目前体量仍相对较小」（财通证券 2026-08-18）。

最后给一个需求侧的量级参照，帮助判断第四家的意义。国海证券对 2027 年国产 AI 芯片的 HBM 需求做了一次测算：预测 2027 年寒武纪、海光信息、华为及其他厂商出货量分别为 55、45、290、260 万颗，对应等效 24GB 的 HBM3／3E 需求量为 330、270、1,740、1,560 万颗，合计 3,900 万颗（国海证券 2026-09-17）。这是券商的测算不是观测值，本报告引用它只用于说明量级：按一颗 HBM3E 约 372 美元的价格档计（德邦证券 2025-10-13 引），3,900 万颗对应的金额约 145 亿美元（本报告推算；算式为 3,900 万 × 372 美元 = 145.1 亿美元；假设是全部按 HBM3E 单价计价、且不考虑数量折扣，实际采购价会低于此值，故该数只用于看量级，不用于任何金额判断）。

2.7 三家的战略分化：同一门生意的三种打法

按 TrendForce 在 2026 年 2 月的预计，三家供应英伟达 HBM4 的格局有望成形（TrendForce 2026-02-13）；技术资格不再是区分它们的主要变量，真正把它们区分开的是三套不同的公司结构。

三星电子走的是垂直一体化。它是三家里唯一同时拥有 DRAM 制造、逻辑代工与先进封装的公司：HBM4 的基底裸片用自家 4 纳米逻辑工艺制造，存储业务设计、System LSI 与晶圆代工部门从设计阶段协同推进，首款 HBM4 基底裸片的开发周期仅约 3 个月（深圳市电子商会 2026-09-17）。这套结构的好处是不必向外部代工厂付费、也不必排别人的产线；代价是资源挤占——HBM4 已占用其约一半的 4 纳米产能（同一出处）。2026 年第一季度，三星 DS（半导体）分部收入 81.7 万亿韩元、环比增长 86%，其中存储收入 74.8 万亿韩元、环比增长 101%，DS 分部营业利润率达 65.7%（华泰证券 2026-05-01）。公司 2026 年的半导体投资计划为 110 万亿韩元（太平洋证券 2026-06-16，转述公司口径）。

SK 海力士走的是联盟。它自研基底裸片架构但把制造交给台积电，双方在 HBM4 上结成合作关系；HBM4E 在评估台积电 3 纳米，同时因台积电 3 纳米产线预订紧张而考虑引入英特尔代工形成双源（深圳市电子商会 2026-09-17）。这套结构的好处是把逻辑工艺的风险外包出去，代价是要为此付出基底裸片约 3 至 4 倍于自有存储工艺的成本（与非网 2026-09-19，孤证）。它的优势在另一头：与英伟达的既有合作深度，使它在供应位元分配上保持优势（TrendForce 2026-02-13）。

美光走的是差异化与身份。它在 HBM3 世代跳代，用 1-beta 制程押注 HBM3E 并凭低功耗通过验证（东北证券 2026-04-24）；在 HBM4 上，公司披露 HBM4 基于 1-beta DRAM 技术已向主力客户平台大批量出货、并已向多家终端客户送出认证样品，HBM4E 基于 1-gamma 技术正在开发、预计 2027 日历年量产（Micron Technology《FY2026 Q3 Press Release》2026-06-24，公司一手披露）。美国本土身份在 2026 年成为一项可计价的资产，这一点在下一章的合同结构里体现得最清楚。

三套打法对应三种利润结构。本报告的观察是：垂直一体化省下的是外购成本，联盟省下的是试错时间，而身份省下的是政策风险溢价。 三者在 2026 年都被市场定价了，但只有第一种是可以靠投资复制的。

2.8 三个容易混用的量：投片产能、位元产出、出货量

这一章的数字密度较高，收尾处把三个最容易混用的量分清楚，后面各章会反复用到。

第一个量是投片产能，单位是晶圆片数／月。它衡量的是产线被占用了多少，是原厂排产的直接对象。HBM 在这个量上的占比是 2025 年 18%、2026 年 22%、2027 年约 30%（TrendForce 2026-06-02）。

第二个量是位元供给，单位是比特。它衡量的是这些晶圆最终变成了多少可售容量。HBM 在这个量上的占比是 2025 年 8%、2026 年 9%、2027 年约 13%（同一出处）。

第三个量是出货量或销售额份额，它衡量的是市场竞争格局。前面 2.1 节列出的五组份额数字，用的就是这个量，而且其中一部分按出货量、一部分按营收。

三个量各自回答不同的问题，混用会得到荒谬的结论。举两个实例。其一，如果把「HBM 占 DRAM 投片的 22%」读成「HBM 占 DRAM 市场的 22%」，就会低估 HBM 的营收重要性——按销售额口径，2025 年 HBM 已占 DRAM 销售额的 33%（TrendForce 数据，转引自半导体产业纵横，见 3.3 节）。其二，如果把「HBM 位元只占 9%」读成「HBM 对 DRAM 供给影响不大」，就会低估它的挤出效应——它占掉的是 22% 的产线，不是 9% 的产线。

投片决定谁被挤出，位元决定市场缺多少货，销售额决定钱落在谁手里。 这三句话是本报告后面所有供需讨论的语言基础。

还有一个衍生的提醒。原厂公布的「HBM 产能」几乎总是以 TSV 晶圆的月加工能力表述，而媒体转述时常把它写成「月产多少颗 HBM」。这两者之间隔着一个随代际变化的转换系数：堆叠层数越高，一片晶圆能出的颗数越少。本报告在 2.3 节不采用任何单厂产能数字，部分原因也在这里——公开渠道的单厂数字往往没有写明它统计的是哪一个量。

第三章 · 需求侧：钱从哪来，为什么绝对金额的预测会立刻过期

3.1 需求由两个乘数决定

HBM 的需求量可以拆成一个极简的乘式：加速卡（含云厂商自研 ASIC）的出货量，乘以单卡挂载的 HBM 容量。两个乘数在 2026 年同时上行。

出货量一侧，TrendForce 对 2026 年的预估是 AI 服务器出货量增幅上调至近 31%，同期云服务商资本支出预计增长 90%（TrendForce《CSP 资本支出预计增长 90%，2026 年 AI 服务器出货量增幅上调至近 31%》2026-08-03）。2026 年全球九大云服务商的资本支出被上调至 8,300 亿美元（TrendForce 2026-05-06）。

容量一侧，单卡挂载量的抬升比出货量更陡：2026 年主要由 AI ASIC 的容量升级驱动，芯片配置的 HBM 从 96GB／192GB 升至 216GB／288GB，Google TPU 等芯片的需求也将放大（TrendForce 2026-06-02）。

两个乘数相乘，就是 TrendForce 给出的位元增速：预期 2027 年 HBM 出货位元年增 50% 至 60%，但仍不足以满足需求端的成长（TrendForce 2026-08-04）。

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以上是免费试读部分（正文约 30%）。完整版包含全部 17 章正文、全部数据表与来源清单。