射频前端 · 行业认知研究报告

第一章 · 总论：这个行业到底是什么

1.1 从物理开始：射频前端在手机里干什么

【定义 · 射频前端】（RF Front-End，缩写 RFFE）：位于天线与射频收发机之间的全部器件的总称。

要理解这个定义，先要知道「射频收发机」是什么。

【定义 · 射频收发机】（transceiver）：手机里负责搬运频率的那颗芯片。你要发出去的数据，先由基带芯片编成一串电信号，但这串信号的频率很低，发不远；射频收发机把它「搬」到几个吉赫兹的高频上，再交给射频前端。接收时反过来，把天线收到的高频信号搬回低频，交给基带去还原成数据。这个搬运动作在行话里叫「上下变频」。

【定义 · 基带】（baseband）：手机里负责把你要发的内容变成一串适合在空中传播的信号、以及把收到的信号还原成内容的芯片。它管的是「说什么」，射频前端管的是「怎么把话喊出去、怎么在嘈杂环境里听清对方」。

于是射频前端的职责就清楚了。它不产生信息，也不处理信息，它只做三件事：把收发机产生的微弱信号放大到能够发射出去的功率；把天线收到的极微弱信号在不引入噪声的前提下放大；并且保证在这个过程中，只有本机正在使用的那个频段的信号通过，其余全部滤掉。

金句 这个定义里最关键的是第三件事。手机之所以需要一整套复杂昂贵的射频前端，根本原因不是「要放大信号」——放大器本身是成熟技术；而是频谱是被切碎的。

碎到什么程度？可以用标准原文来量。

3GPP（第三代合作伙伴计划）是制定全球移动通信标准的组织，4G 和 5G 的技术规范都出自它，包括「哪一段频率叫 n41」这种编号。它的 TS 38.101-1 这份文件专门规定 5G 终端在 6 吉赫兹以下的射频收发要求。

本报告直接下载了这两份标准的现行版本并对其频段表逐行计数（不是引用别人的说法）：

（出处：欧洲电信标准协会发布版 ETSI TS 138 101-1 V19.6.0 第 37–39 页、ETSI TS 138 101-2 V19.4.0、ETSI TS 136 101 V19.6.0。146 是本报告的加总，算法已写明：68 + 71 + 7。）

146 个频段 —— 而且一部面向全球市场的手机还要在这之外再支持 WiFi 的 2.4 / 5 / 6 吉赫兹、蓝牙、以及美国 GPS、中国北斗、欧洲伽利略、俄罗斯格洛纳斯这几套卫星定位系统。

频段多到这个程度，麻烦还不只是数量，而是有些频段挨得极近。最典型的一对：

12.5 ÷ 2500 = 0.005，12.5 兆赫在 2.5 吉赫兹的尺度上是千分之五 —— 而这千分之五里还有 92%（11.5 ÷ 12.5 = 0.92）被另一个频段占着。

真正留给滤波器「从这里切下去、别切到隔壁」的余量，只有 1 兆赫。

（口径提示：以上是美国与中国的监管口径。按国际电信联盟无线电规则脚注 5.150，2.4GHz 工业科学医疗频段一直到 2500 MHz，在那个口径下这个间隔根本不存在。引用时必须说明用的是哪一套。）

金句 频段之间挨得越近，把它们分开所需要的滤波器就越陡峭，而滤波器的陡峭程度是一个纯粹的物理与工艺问题，不是电路设计问题

这一句话解释了射频前端行业的许多现象：为什么利润集中在少数几家、为什么中国厂商在开关和放大器上能突破而在滤波器上突破不了、为什么这个行业的头部公司都自己建厂而不是找代工。

还有第二层复杂度。现代手机不是一次只用一个频段，而是同时用多个 —— 这叫载波聚合（Carrier Aggregation）。你下载一个文件时，手机可能同时在 n41、n78 和 B3 三个频段上收数据。这意味着这三条通路必须同时打开、同时工作、互相不能干扰。

组合数量的增长有一个可核的数字。Skyworks 给出的 4G 与 5G 对照（经慧智微招股说明书引用）是：

（出处：首创证券《射频前端：终端厂商重启拉货，高端模组国产已突破》第 3–4 页正文与图 3，原始数据 Skyworks，经慧智微招股说明书引用。）

这张表里更关键的是 200 这个数。器件数量从 40 涨到 70 只是不到一倍，而需要逐一验证的载波聚合组合从 10 涨到 200，是二十倍。每一种组合都要在实验室里跑通、都要在运营商的入网测试里过关。

射频前端是手机里唯一一个「设计难度随运营商数量和频段数量增长、而不是随工艺节点推进」的部件。

处理器换代靠制程，存储换代靠堆叠层数，射频前端换代靠的是把更多频段、更多组合塞进同样大小的空间里，且不让它们互相干扰。这决定了它不适用半导体行业的一般规律，这一点在第七章会展开。

1.2 五类器件：钱花在哪里

射频前端由五类基本器件构成。它们的技术难度、材料体系、利润率完全不同 —— 而这个「完全不同」正是本报告最核心的结构性事实。

下表先给出每类器件干什么、用什么工艺，随后给出它们的价值占比。

几个词先解释清楚，否则下面的论证接不住：

【定义 · 双工器 / 四工器】双工器是一对配合工作的滤波器，让「发」和「收」共用同一根天线而互不干扰；四工器是两对，让两个频段的收发共用一根天线。频段越多、共用越密，需要的多工器就越复杂。

【定义 · 化合物半导体】硅是单一元素做的半导体；把两三种元素化合起来做的半导体（砷化镓、氮化镓、磷化铟）就叫化合物半导体。它们的电子跑得比硅快、耐得住更高电压，代价是贵，而且和硅的生产线完全不通用 —— 设备、材料、工程师训练都是另一套。这个「不通用」在 1.3 节 会变成一条关键的产业约束。

【定义 · 绝缘体上硅】（Silicon on Insulator，SOI）在硅片和器件层之间插一层氧化绝缘层的工艺。作用是把信号往衬底里漏掉的那部分损耗切断，让开关在高频下还能保持低损耗和好线性度。

【定义 · 插入损耗】信号穿过一个器件之后损失掉多少，单位是分贝。滤波器的插入损耗直接对应手机的发射功率和续航 —— 损耗每多一分，要么信号弱一分，要么电池费一分。

现在看价值分配。这是本报告能取到的最直接的一组数字，出自 Qorvo（全球前五的射频前端厂商之一）自己的口径：

图 1 · 2023 年射频模组内各器件的价值占比

数据来源：联储证券《射频前端行业深度：增长动能形成合力，国产替代条件充足》2024-10-23，第 6 页图 2，原始数据 Qorvo。五项合计 100%。

金句 滤波器一项，等于其余四项之和的两倍。

而这四项里，开关、天线调谐器、低噪声放大器加起来只有 14% —— 恰好就是中国厂商已经完成替代的那三项。

需要提醒一处口径。同一件事还有另一个说法：按 Yole 的口径，2022 年分立器件市场内部的价值占比是分立滤波器 48%、天线开关 27%、分立低噪声放大器 14%、分立传导开关 11%（出处：开源证券同报告第 14 页图 20，原始数据 Yole）。这一组不含功率放大器，分母也不是模组而是分立器件市场 —— 两组数字的分母不同，不能放在一起比。但它们指向同一个结论：滤波器是价值量最大的一类，而且大得不成比例。

金句 回到本节开头那张器件表，最值得对比的是第一行（滤波器）和第三行（射频开关）。

滤波器的工艺是「声学」—— 把电信号转换成沿着压电材料表面或体内传播的机械波，利用机械波的谐振特性实现频率选择。

【定义 · 压电】某些材料被压一下会产生电压，反过来给它通电它会变形。这个双向的转换效应叫压电效应，具备这个性质的材料叫压电材料（石英、钽酸锂、铌酸锂、氮化铝都是）。滤波器就是靠它把电信号变成机械振动、再变回电信号 —— 中间那段机械振动才是真正在「挑频率」的部分。

这不是硅基半导体工艺，它更接近精密材料加工：性能取决于压电薄膜的厚度能做得多均匀，而不是取决于电路设计得多巧妙。

射频开关则相反。它本质上就是一堆用绝缘体上硅工艺做的场效应管（一种靠电压控制电流通断的基本电子开关），设计门槛是清晰的、可学习的、可以靠仿真迭代逼近的。

这解释了为什么中国厂商最先在射频开关上实现批量替代，而在滤波器上至今只在中低端有位置 —— 这两件事的「难」根本不是同一种难。

1.3 模组化：这个行业过去十年发生的唯一一件大事

金句 如果只能用一件事概括射频前端行业 2015 年至今的变化，那就是从卖器件变成了卖模组

早期手机把上述五类器件作为独立元件焊在主板上。随着频段数量增加，独立元件的方案在两个维度上失效：一是主板面积不够，二是器件之间的走线本身就会引入损耗和干扰，频段越多越无法调通。

解决办法是把多个器件封装进一个模组，由供应商在模组内部完成匹配和调试，整机厂拿到的是一个「接上天线就能工作」的黑盒。

这个转变有一个可核的量级参照：分立方案要做出 5G 手机 Sub-3GHz 部分的完整射频通路，物料清单需要 20 颗以上器件（开关、多工器、大功率天线开关等）；而集成度最高的 Phase8L 方案，一颗芯片就完成同样的功能（出处：开源证券同报告第 20 页正文与图 32、33，原始资料来自慧智微）。

模组按集成度形成了一个清晰的阶梯。这个阶梯不是产品分类，它是能力分级 —— 一家公司能做到阶梯的哪一层，直接决定了它在这个行业的位置。

在读这张表之前需要先解释两个词，否则整张表读不懂：

【定义 · 主集 / 分集】手机上有两套接收天线。主集是发射和接收都要用的那一套，分集是只负责接收、在信号弱的时候补充主集的第二套。因为主集要发射，它的模组必须带功率放大器，又贵又难；分集不发射，只要开关加滤波器加一个小放大器就够了。行业里模组名字前面的 L 通常指集成了低噪声放大器；PAMiD、L-PAMiD 末尾的 D 指集成了双工器 / 多工器，而双工器正是最难的那一部分；DiFEM 开头的 Di 则指分集（Diversity），它是集成度最低的一级。

（模组构成出处：开源证券同报告第 6 页表 2，原始资料飞骧科技招股说明书；中国厂商产品线出处：联储证券同报告第 5 页表 3，原始资料各公司公告。）

金句 L-PAMiD 是这个阶梯的顶点，也是理解整个行业的钥匙。

它之所以难，不在于集成的器件多，而在于它必须把功率放大器和双工器封装在同一个壳里。功率放大器工作时发射功率可达数瓦并伴随大量发热；双工器则要在同一时刻，从这个强信号旁边分辨出比它弱十亿倍的接收信号。两者相距不到一毫米。

这里有一个反直觉的事实，值得单独说清楚，因为它推翻了「频率越高越难」的常识：

金句 集成度最高的模组用在 Sub-3GHz，不是用在最高频的那一段。

原因是频段拥挤度。Sub-6GHz 的高频段（n77 / n78 / n79）虽然频率高、功率大，但它是 5G 新增频段，周边信号不拥挤，需要的滤波器数量和功能都更少，所以主流方案是 L-PAMiF 而不是 L-PAMiD；反过来，Sub-3GHz 频段数量多、彼此挨得近，需要集成的滤波器与双工器远多于高频段，集成度要求显著更高（出处：开源证券同报告第 19–20 页正文）。

这带来一个供应链上的直接后果：

能做 L-PAMiD 的公司，必须同时掌握化合物半导体工艺（做功率放大器）和声学器件工艺（做滤波器）。

这两种工艺在设备、材料、人员训练上几乎没有交集。全球满足这个条件的公司屈指可数，而这正是博通、村田、Qorvo 这些公司自己建厂的原因：这个位置只能用重资产的方式占住。

1.4 产业链全景：三条工艺通路，在模组层合流

射频前端的产业链形态是线性链而不是网络图：材料与衬底 → 晶圆制造 → 器件 → 模组 → 整机，环节之间是单向先后关系，不存在回路，也不存在「付钱的和使用的不是同一批人」的情形。

但只画成一条五层的直链，会漏掉这条链最重要的结构特征：

金句 前三层其实是三条互不通用的工艺通路；它们直到第四层模组才第一次合流。

图 2 · 射频前端产业链全景：三条工艺通路，在模组层合流

数据来源：本报告整理。三条工艺通路的划分依据是 1.2 节的器件—工艺对应关系；价值占比出处见 1.2 节；周边力量的判定依据见第五章。

这张图上有四个位置值得特别记住。

第一个是三条通路的宽度差。声学通路对应的是模组价值的 66%，化合物半导体通路 20%，硅基通路只有 14%（开关 9% + 调谐 3% + LNA 2%）。三条通路在图上画得一样宽，实际上它们的经济分量差了将近五倍。

第二个是第二层的「均自建」三个字。声学器件晶圆线这一格里，村田、博通、Qorvo、Skyworks 全部是自己建厂 —— 这在一个「设计与制造分工」已经成为常态的半导体行业里，是很不寻常的。第七章会回答为什么。

第三个是模组层的那句话。三条通路必须在这里合流，而合流的前提是至少同时掌握其中两条。这就是 L-PAMiD 的门槛所在。

第四个是周边的「替代者」那一格。苹果与华为都在把射频链路上的环节从供应链上收回来：苹果已经量产的是自研基带，射频前端自研未见一手证据；华为是被迫自研射频前端。请注意图上那句注：压力落在硅基与化合物通路，不落在声学通路 —— 这个方向与市场的一般担忧相反，第五章与第九章都会回到这一点。

1.5 市场规模：先分清口径

射频前端的市场规模是本报告在数据核对上遇到最大分歧的一项，因此单独用一节交代。这一节的结论是一套用法，而不只是一个数字。

金句 先说结论：「射频前端市场规模」这句话本身是空的，不先问口径就没法讨论。

同一个时点（2025 年前后），市面上并存着三档相差 3.5 倍的说法，而它们来自三个不同的商品定义，并非估算分歧：

（窄口径出处：Yole 新闻稿 2025-09-05 与《RF Front-End Module for Mobile 2025》产品页。宽口径出处：Yole 新闻稿 2025-07-25（发布的是《Status of the RF Industry 2025》）与《Status of the RF Industry 2026》产品页，报告号 YINTR26578。中间档出处：Global Market Insights 射频前端模组市场页 2025-12、Mordor Intelligence 同名页 2026-08-05 更新、IMARC Group 同名页。

宽口径这一档写作区间 530–553 亿美元，是把两家机构、两个年份合在一起给的：它取的是 Yole 与 Grand View Research 对 2024–2025 年的各自估计。需要说明的是，Yole 自己的 2024 年值是 513 亿美元，不在这个区间内；区间里 Yole 取的是哪一年的值，本报告未能核实，因此这一区间只作量级参考。本节后文「宽口径下的分段」用的 513 亿美元是 Yole 单一来源、单一年份（2024 年）的值，与 697 亿（2030 年）同源，因此可以直接相除算增速。两者一个是「合并区间」，一个是「单一来源基数」，并非同一个口径下的两个数。凡涉及宽口径增速测算，本报告一律只用 Yole 同源的 513（2024）→ 697（2030）这一组，不与 530–553 混算。）

三档之间差 3.5 倍。如果不先问「含不含射频 SoC、含不含基站」，任何两个数字之间的比较都是无效的。

【定义 · 射频 SoC】把射频收发机和一部分前端功能做进同一颗芯片的集成方案。它算不算射频前端，是上面三档分歧的最大来源。按 Yole 的宽口径，射频 SoC 到 2030 年单独一段就超过 230 亿美元，比整个窄口径市场还大——这就是为什么含不含它，盘子会差一倍以上。

一个更要紧的发现：同一家机构，两个版本

上面的分歧还只是「不同机构口径不同」。真正需要读者警惕的是下面这件事：

金句 同一家 Yole、同一个手机射频前端口径，2024 年和 2025 年发布的两个版本，数字对不上，而且差得很远。

图 3 · 全球手机射频前端市场规模：Yole 的两个版本（亿美元）

数据来源：左侧四根（浅色）为旧版，出处：开源证券《射频前端空间广阔，高端突破正值当时》第 6 页正文与图 2；同组数字亦见国信证券《射频前端行业深度：模组化提高行业壁垒》第 8 页图 4、首创证券同报告第 9 页图 6、国盛证券《卓胜微：射频前端龙头，厚积方可薄发》第 9 页图表 13。右侧两根（深色）为新版，出处：Yole 新闻稿 2025-09-05「RF front-end modules for mobile: how Chinese OEMs are driving innovation and disruption」与《RF Front-End Module for Mobile 2025》产品页。2030 年那根的原文是「超过 170 亿美元」，图上按 170 画，实际值应更高。

把两个版本并排看，差异是这样的：

金句 按同一年份比较，新版把这个市场下修了约四分之一，并且把「稳健增长」改成了「三年走平」。

算式：旧版没有直接给 2024 年的值，按 2022 年 192 亿与 2026 年 217 亿线性插值约 204 亿美元；新版 2024 年为 154 亿美元，154 ÷ 204 ≈ 0.75，即下修约四分之一（本报告计算）。

这件事有一个直接的实用含义： 中文市场上流通的射频前端市场规模数字，几乎全部来自这四家券商的转载，而它们转载的全部是旧版。本报告查到的四家券商报告发布时间在 2024-10 至 2025-08 之间，而 Yole 的新版新闻稿发布于 2025-09-05 —— 时间上说得过去，但今天再引用旧版，就是在用一个发行方自己已经修订过的数字。

本报告的处理：两个版本都写出来，主序列采用新版。理由很简单 —— 同一家机构的后一版修订了前一版，没有理由继续用被修订掉的那个。

这个选择会不会改变本报告的核心判断？会。旧版的 5.78% 支撑的是「个位数低增长」；「近乎走平」只在新版口径（年均约 1.7%、2025–2027 年走平）下成立。本报告以新版口径为准，凡是依赖新版才成立的结论，都标明口径。

宽口径下的分段：钱到底分布在哪

按 Yole 的宽口径（全部射频器件，含基站与国防）：全球市场 2024 年 513 亿美元，预计 2030 年 697 亿美元，六年复合增速 约 5.2%（(697 ÷ 513)^(1/6) − 1 = 5.24%）。它的 2030 年分段是：

（出处：Yole 新闻稿 2025-07-25，《Status of the RF Industry 2025》。三段之和 540 亿与总量 697 亿相差 157 亿，这个差额是基站、国防及其他射频，Yole 未单列。因此三段不能相加当作总量使用。）

金句 在最宽的口径下，最大的一段是射频 SoC，而不是射频前端。

交叉验证：单机价值量对不对得上

这是本报告最重要的一次口径校验，因为「单机射频前端价值多少美元」这个数字，在后面第八章、第九章会被反复用到。

先说一个好消息：这一项的一手出处找到了。市面上广泛流传的「4G 18 美元、5G 25 美元」，中文券商全部标注为「来自 Skyworks」但没有一家给出 Skyworks 的哪份文件；而 Qorvo 在 2017 年和 2024 年的投资者日材料里给出了自己的分档口径，并且这两份材料都作为 8-K 的附件报送了美国证券交易委员会 —— 那是可以打开的一手文件。

（两份材料的标注均为「Management Estimates」，即 Qorvo 管理层估计，不是第三方统计。）

金句 市面上流传的「5G 单机 25 美元」与 Qorvo 旗舰档（超过 25 美元）数值相当，但口径待核；同期 Qorvo 入门 5G 档只有约 5 美元，两者差五倍。

用全球平均来验证一下。算式如下，可以自行复算：

分子：Yole 新版口径全球手机射频前端市场（2024 年）= 154 亿美元
分母：IDC 口径全球智能手机出货量（2024 年）      = 12.388 亿部
154 亿 ÷ 12.388 亿 = 12.4 美元 / 部

（分子出处：Yole 新闻稿 2025-09-05。分母出处：IDC 官网新闻稿 prUS53072325，2025-01-13，CY2024 年度表合计行。）

12.4 美元这个全球平均值，落在 Qorvo 给的「入门 5G 约 5 美元」和「旗舰 5G 超过 25 美元」之间，而且更靠近中位偏下 —— 这与全球手机出货以中低端为主的结构一致。三组数字互相印证，没有一个需要被推翻。

再看那个一直对不上的数字。有券商写「5G 单机射频前端成本超过 40 美元」（出处：东海证券《5G 助推射频前端高速发展》第 17–18 页）—— 该处没有给原始出处，也没有说明是旗舰还是平均、含不含射频收发机。

40 美元既高于 Qorvo 一手材料的旗舰档（超过 25 美元），又说不清分母。本报告不采用。

金句 这次校验的产出是一句用法：凡是引用「单机射频前端价值 X 美元」，必须同时说明它是旗舰档、入门档还是全球平均——三者相差五倍。

本报告后续凡涉及单机价值量的测算，一律同时给出全球平均（约 12 美元）与旗舰档（超过 25 美元）两档，不取单一值。

1.6 行业生命周期定位：一个成熟行业里的结构性重排

把上面的数字放到一起，射频前端的生命周期位置是清楚的：

金句 这是一个已经进入成熟期的行业：总量增速在旧版口径下是个位数，按新版口径近乎走平，而内部正在发生一次幅度很大的份额重排。

支撑「成熟期」这个判断的有四条证据，每条都可核：

第四条是最硬的一条，因为它是行动而不是说法。一家全球前四的厂商在两个财年里关掉一座晶圆厂、关掉一座封测厂、卖掉两条产品线，成长中的行业里很少见到这种动作。

但「成熟」不等于「平静」。这个行业当前同时在发生三件方向不同的事：

三股力叠加的结果是：总盘子基本不动，但每一家在盘子里的位置都在动。

对判断而言，这个定位意味着一件很具体的事：

在射频前端这条链上，任何以「行业增长」为核心逻辑的说法都需要被高度怀疑，因为行业总量近乎走平（新版口径）。能够成立的逻辑只有两类 —— 份额转移（从谁手里抢到什么），或者成本结构改变（用别人做不到的方式把同样的东西做便宜）。

第七章会说明为什么后一类在这个行业里极难成立。

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第二章 · 上游：材料、衬底与代工

上游是这条链上最容易被误判的一段。它的产值占比不高，但它决定了下游能做出什么性能的器件。

金句 在射频前端，性能上限是被材料定死的，设计只能在这个上限之下腾挪。

按 1.4 节 的三条工艺通路，本章逐个环节说明：它是什么 · 谁在做 · 为什么是他们 · 卡在哪。

在开始之前先说明一件事：本章是全报告取数难度最大的一章。很多环节没有公开的统计口径，只有各厂商的零散披露。本报告的处理方式是 —— 能拿到一手披露的就写清楚，拿不到的就写明「查了谁、卡在哪」，不用第三方估算填空。

2.1 压电衬底：这才是滤波器环节真正的咽喉

金句 如果说镓和钪是被高估的卡点（见 2.5 节、2.6 节 会逐条拆），那么压电衬底就是被严重低估的那一个。

【定义 · POI 衬底】（Piezoelectric on Insulator，绝缘体上压电）：在硅衬底上依次形成氧化层与陷阱丰富层，再键合一层厚度精确到亚微米级的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜。它是薄膜声表面波滤波器的基础材料。

这个定义里有两个词要解释：

【定义 · 陷阱丰富层】在射频衬底里加的一层多晶硅，作用是**「抓住」衬底里乱跑的电荷**，防止它们在高频下引起信号失真。

【定义 · 键合】把两片晶圆在原子层面直接贴合成一片，中间不用胶。POI 衬底就是把一层压电材料键合到硅片上。

A 股上市公司自己在年报的释义章节里给出了一个更简洁的中文定义：「一种用于表面声波滤波器的衬底材料，以高阻硅作为基底、中层为氧化埋层，顶部是一层薄且均匀的单晶压电层」（出处：卓胜微 2025 年年度报告，第 6 页）。

为什么需要它？ 原理在 6.1 节展开，这里先给结论：传统声表面波直接在钽酸锂块体单晶上做，性能受限于材料本身的温度漂移和声波泄漏。把压电层做薄、放在带反射结构的衬底上，可以把声波能量约束在薄膜内，从而在成本远低于体声波的前提下，把性能推到接近体声波的水平 —— 温度系数从约 −40 ppm/°C 改善到 −8 ppm/°C。

这是过去十年滤波器技术上最重要的一次进步，也是中国厂商唯一可能绕过体声波专利墙的通路。

Soitec 的 POI 产能，只有一个地方

这是本报告在上游环节取到的最有价值的一组数据，因为它把一个通常只能定性讨论的问题变成了可以数的数字。

Soitec 是 POI 衬底的主要供应商，而它的 POI 全球产能集中在法国 Bernin 3 一个厂区：

金句 纸面 100 万片，实际装机 35 万片 —— 三分之一。

而这 100 万片的上限是怎么来的，比数字本身更有信息量。Soitec 在同一份文件里写明：

「……使 Soitec 得以通过最大化利用现有设施，把 POI 衬底的年产能从 70 万片提高到 100 万片。经此重新配置后，Bernin 1 的年 SOI 产能从 100 万片 200 毫米晶圆降至 75 万片。」 —— Soitec《2025-2026 年度通用注册文件》，印刷页 30

也就是说：那 30 万片 POI 产能是从绝缘体上硅产线挪过来的，不是新建的。

这个动作透露的信息很具体：Soitec 自己也不确定 POI 的需求能不能撑起一笔新的资本开支，所以选择了挪产能这种可逆的做法。

它的判断有财务数据佐证。 Soitec FY2026（截至 2026-03-31）的表现是：

（出处：Soitec《2025-2026 年度通用注册文件》，印刷页 230。）

公司对 POI 的具体表述是：「用于射频滤波器的 POI 衬底销售略低于上一财年……这反映了亚洲需求的暂时放缓，尽管对美国头部客户的销售持续增长」（同上）。

「独家供应」这个说法：本报告的核实结论是查不出来

市面上流传一个说法：日本 NGK（日本碍子）独家供应村田的 POI 衬底。这个说法如果成立，意味着一家器件公司的性能上限被上游一家材料公司的排他合同锁死。

本报告对这条做了系统核查，结论是：既立不住，也证伪不了 —— 而且它在一手层面是结构性无法证实的。

查证过程如下（这一段本身就是券商研报不会给的信息）：

金句 卡点在这里：「独家」这个限定词，只可能出现在两种材料里 —— 双方的联合公告，或某一方法定披露中对单一供应商／客户的依赖披露。两者都不存在，而且双方都披露「无占比 10% 以上的客户」。

所以问题不在「这次没查到」：这类表述在一手层面根本不会出现。

还有一个术语陷阱值得记住：NGK 在官网和全部投资者材料里一律用「复合晶圆」这个词，从不使用「POI」 —— POI 是 Soitec 的产品命名。所以「POI 在 NGK 材料里零命中」不代表 NGK 不做这个产品，只说明两家的术语体系不同。

判断不能靠关键词命中与否。

那么 NGK 到底是不是 POI 的玩家？有一条一手证据：Soitec 自己在法定文件里把它写成了竞争对手。

「Soitec 在移动通信领域提供多样化的产品组合，包括 FD-SOI、POI 和 RF-SOI，并与 GlobalWafers、信越（SEH）、NGK 等集团竞争。」 —— Soitec《2025-2026 年度通用注册文件》，印刷页 32

金句 这条证据有双重含义：它确认了 NGK 是真实玩家，同时也说明 POI 衬底不是独家生意。

POI 的客户是谁：有名有姓

同一份文件还回答了「谁在用 POI」：

Skyworks 这一条在法定财报附注里有硬证据：Soitec 母公司报表附注 6.2 显示，递延收入 4,657.6 万欧元中，「向 Skyworks 开票形成的预收 2,938.5 万欧元」（出处：同上，印刷页 312）。

一个供应商在自己的资产负债表附注里单独列出某个客户的预收款 —— 这是「大客户」在会计上的直接体现。

这一层的判定

金句 本报告对压电衬底环节的判定是：这是一个真实的咽喉，但它不是一道由排他合同筑成的墙，而是一道由产能与认证周期筑成的窄门。

理由有三条：

第三条最值得注意：如果 POI 是一道被抢破头的窄门，POI 销售不会低于上一财年。真实的情况更可能是 —— 这道门是窄的，但门外排队的人也没有想象中多。

关于这一环节的量化参数（薄膜厚度均匀性、缺陷密度这些真正决定器件良率的指标），公开材料中没有可比的披露。本报告因此不下「中国已达到国际水平」或「仍有显著差距」的任何一种结论。

金句 这是本报告数据缺口最大的一个环节，也是评估任何一个滤波器项目时最应该实地核实的一个环节。

2.2 钽酸锂与铌酸锂单晶：一个叙事与事实不符的环节

POI 衬底的顶层是一层钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，而这层薄膜的原料是块体单晶。市面上关于这个环节的流行叙事是「日本双寡头垄断」。

金句 本报告的核实结论：这个叙事在一手材料层面是悬空的。

先看住友金属矿山。 它确实做这门生意，而且做了很久。但它自己的披露里有三条与「垄断者」形象不符的信息：

一个「垄断」环节的持有者，把它列为守成型业务、要两厂并一厂、回报率不达标。这不是垄断者的行为模式。

至于份额：本报告通读了住友金属矿山有价证券报告书第 100 期全文（204 页）与《综合报告书 2025》全文（160 页），没有任何一处给出钽酸锂／铌酸锂的世界份额数字，也没有「世界份额第一」的表述（该报告里出现的五处「份额」全部与电动车电池正极材料相关）。

金句 市面流传的「住友加信越占九成」「住友占六成」，本报告未取得任何一手证实。

再看信越化学 —— 情况更极端。信越化学有价证券报告书第 149 期全文中，「钽酸锂」「铌酸锂」「压电」「SAW」零次出现；其电子材料事业的定义是「半导体硅、稀土磁体、光刻胶、掩模基板、合成石英制品等」。

它的官网确实有一个产品页提到把钽酸锂、铌酸锂等压电材料做成混合晶圆、用途包含 5G 滤波器。但无尺寸、无产能、无营收、无份额，任何一项可核数据都没有。

把信越写进「双寡头」，在它自己的法定披露层面拿不到任何支撑。

唯一一家有法定披露背书的，反而是一家中国公司。

天通股份在 2025 年年度报告里给出了这个环节最完整的一组可核数据：

金句 这张表里有两件事，而且方向相反。

第一，尺寸上已经追平甚至领先。8 英寸量产、12 英寸在研 —— 而日本山寿陶瓷的官网沿革页最新只写到 6 英寸本格量产，NGK 的复合晶圆产品页写的也是「尺寸最大 6 英寸」。

第二，量在下滑。产量降 14%、销量降 18%、库存降 43% —— 这与 2.1 节里 Soitec 的 POI 销售「略低于上一财年」是同一个方向。

有数据的法国（Soitec）与中国（天通）两端，2025–2026 年都在收缩；日本侧没有钽酸锂／铌酸锂业务的单列数据（住友的分部含电池材料，且是 FY2024），无法判断。已有的数据更像是下游需求的问题，而不是某一家的问题。

天通的募投项目也在延期。 同一份年报的第 60 页写明：该项目计划投资 13.51 亿元，累计投入 4.13 亿元，投入进度 30.56%，而「调整后计划达到预定可使用状态日期为 2029 年 12 月」。

注意：请注意第 26 页与第 60 页给的是两个口径：重大非股权投资表里的项目总投资 14.68 亿元、进度 35%；募投项目明细表里的计划投资 13.51 亿元、进度 30.56%。两者分母不同，不是矛盾，但也不能混用。

另外两家常被提到的中国厂商，本报告的核实结果

2.3 化合物半导体代工：份额很高，议价能力不高

功率放大器的砷化镓晶圆制造，外部代工高度集中于中国台湾。但「集中」这件事要先把分母分清，否则会得出完全错误的结论。

图 4 · 同一家公司在两个分母下的砷化镓份额（2024 年）

数据来源：上半部分为砷化镓晶圆代工市场（2024 年规模 8.65 亿美元），下半部分为含 IDM 自产在内的全部射频砷化镓器件市场（2024 年规模约 87 亿美元），按份额从高到低排列；器件市场里排在稳懋之前的第五名，稳懋年报的引用中没有列出，所以图上只有四家排在它前面。数据源均为 TechInsights，经稳懋半导体《114 年度股东会年报》引用，印刷页 -82-（代工市场）与 -81-（器件市场）。代工市场的「其余五家合计 12%」是本报告按残差算出：100% − 稳懋 59% − 宏捷科 16% − 三安集成 7% − Lion Electronic 6% = 12%。这 12% 里可具名的是四家：海威华芯 2% + Wavetek 2% + 环宇 2% + ChemSemi 1% = 7%，余下 5% 原始来源未具名。

金句 同一家公司，在代工市场里占 59%、全球第一；在器件市场里占 5.3%、全球第六。

这不矛盾，这是两个完全不同的分母。而两个分母的比值揭示了这个环节最重要的一个事实：

金句 代工营收只相当于砷化镓器件市场规模的十分之一。

两者不在同一个价值层级（一个是晶圆代工费，一个是器件售价），不能据此推出「九成由 IDM 自产」。关于 IDM 与代工的产量分布，稳懋自己在年报里的说法是：「在目前的砷化镓晶圆制造市场中，IDM 公司仍占有超过 50% 的生产规模」（出处：稳懋《114 年度股东会年报》，印刷页 -75-）。

这句话是关于 IDM 的，不是关于稳懋自己的。市面上把它读成「稳懋份额超过五成」，是读错了主语。稳懋真正的代工份额数字是 59%（2024 年，按营收，TechInsights 口径）。

关于稳懋份额，还有三条限定缺一不可：

市面上另一个流传的数字「化合物半导体代工约 65%」，本报告未取得任何一手来源。检索稳懋 FY2024 与 FY2025 两份年报全文，唯一出现的 65% 是「2025 年 5G 智能手机渗透率将突破 65%」，与市占率无关。

一个反直觉的现象：占了六成份额，却没有对应的定价权

一个占了代工市场六成的厂商，为什么没有表现出对应的定价权？

三组数字给出了答案：

金句 全球最大的砷化镓代工厂，两年不扩产，产能只用了六成半。

原因在于这个环节的两端都是刚性的：

金句 这构成一个典型的「高份额、低定价权」结构：需求刚性向下，供给刚性向下，双方都被锁在同一条船上，价格只能在窄区间内博弈。

结果反映在毛利率上：稳懋 FY2023–FY2025 的毛利率是 21.91% / 23.15% / 24.20%（出处：稳懋各年年报，该数字由营业毛利除以营业收入推算，年报未直接给出年度毛利率）。

一个占了六成份额的行业第一，毛利率只有二十出头 —— 这个位置的经济学，与「垄断」这两个字的直觉完全不同。

对照的例子可以放在同一层。 环宇-KY 的毛利率是 47.13%（FY2025，同为推算值），几乎是稳懋的两倍。但它的业务构成完全不同：纯代工只占其营收不到三成（射频元件晶圆代工 18.55% + 光电元件晶圆代工 10.10%），主体已经是自有品牌的光模块（68.72%）（出处：环宇-KY《2025 年报》，印刷页 72）。

金句 在这个环节里，毛利率高的那一家，恰恰是最不像代工厂的那一家。

一处必须并列、不能私自选边的口径冲突

宏捷科在自己的年报里自称砷化镓代工份额 28%（FY2025 年报）／26%（FY2024 年报）、全球第二，来源只写「根据市调机构指出」，未点名机构、未标年份。而稳懋年报引用的 TechInsights 数据说宏捷科是 16%（2024）。

两者相差 10 个百分点以上，而且同属年报这一证据层级，无法用层级裁定。稳懋侧点名了机构并给出市场规模绝对值（8.65 亿美元），可核性更强；宏捷科侧来源模糊。本报告两个数都列出，不私自选一个。

中国大陆的位置

立昂微那一行值得单独看：它的射频芯片已经通过昂瑞微、唯捷创芯、康希通信、慧智微进入手机供应链（出处：同上第 21 页），但它 2025 年的合并毛利率只有 9.86%，而且连亏两年。

金句 中国大陆在这一层的位置是：原理上已经不依赖境外代工，但经济性还没跑通。

它让中国的功率放大器设计厂商在原理上不依赖境外代工 —— 而这个差距是可以靠时间和产量积累追平的类型，与压电衬底那种「参数在别人手里」的差距性质完全不同。

2.4 绝缘体上硅：一条被忽略的单点依赖

射频开关和低噪声放大器主要使用绝缘体上硅工艺（见 1.2 节 已定义）。它的作用机制有一个可量化的实证：在高阻承载片与埋氧层之间加入陷阱丰富层后，谐波品质因数从 −80 dBm 改善到 −90 dBm，即线性度改善 10 分贝（出处：Soitec 新闻稿，2015-01-26）。

这一层通常被认为是「供应分散、不构成约束」的一层。意法半导体、Tower、格罗方德、中芯国际、华虹都有射频绝缘体上硅平台，中国厂商在这一层的可获得性确实较好 —— 华虹在 2025 年年报里写明「65 纳米射频绝缘体上硅工艺平台营收持续增长」（出处：华虹公司 2025 年年度报告，第 17 页）。

但本报告在核对格罗方德的年报时，发现了一条与「分散」这个印象不符的事实。

「如果我们因任何原因无法从 Soitec S.A.（我们的主要供应商）获得 300 毫米绝缘体上硅晶圆，我们预计需要很长一段时间才能找到替代供应商……2025 年，Soitec 占我们绝缘体上硅晶圆采购额的约 71%。」 —— GlobalFoundries 20-F 年报（FY2025），Item 3.D 风险因素，印刷页 8

财报附注给出了三年序列：2025 年 71.4%、2024 年 60.9%、2023 年 63.0%，且明确写为「来自单一供应商」（出处：同上，印刷页 F-46）。

金句 全球主要的射频绝缘体上硅代工厂之一，七成以上的绝缘体上硅晶圆采购额来自同一家公司，而且它自己在风险因素里写明找替代要「很长一段时间」。

这条依赖还有合同层面的证据：2024 年 10 月，格罗方德与 Soitec 对 2017 年的主供货协议签署补充协议，覆盖 300 毫米射频绝缘体上硅与全耗尽绝缘体上硅产品，约定供货量与价格条款至 2026 年，满足特定条件可延至 2030 年（出处：同上，印刷页 68）。

所以「绝缘体上硅供应分散」这个说法，在代工环节成立，在衬底环节至少有一个反例：一家全球主要代工厂七成以上的绝缘体上硅衬底依赖 Soitec。

需要限定的是：71% 是格罗方德全部 300 毫米绝缘体上硅晶圆的采购占比，不限于射频；信越、环球晶圆也供应绝缘体上硅衬底（见附录 B）。衬底端的整体集中度，本报告没有取得数据。

关于 Soitec 在射频绝缘体上硅上的份额，本报告未取得任何一手数字。查了 Soitec 的 FY2025 与 FY2026 通用注册文件全文、全年业绩新闻稿、业绩演示材料，用「市场份额」「占市场的」「领导者」四组关键词检索，没有任何份额数字。能拿到的只有定性表述：「射频绝缘体上硅衬底几乎存在于全球销售的所有智能手机中……已成为基准技术」（通用注册文件，印刷页 26）。

市面上流传的「Soitec 射频绝缘体上硅份额 70% 以上」，本报告只在二手材料里见到，Soitec 任何一手材料中都找不到，不建议引用。

2.5 金属镓：供应高度集中，但集中的方向与直觉相反

砷化镓是功率放大器的主流衬底材料，而镓是它的原料之一。镓不是独立开采的金属，它是铝土矿提炼氧化铝过程中的副产品，因此产量被绑定在铝工业的规模上，无法独立扩产。

先看集中度，数据来自美国地质调查局的年度矿产品摘要（这是全球最权威的一手统计）：

金句 请注意第二行和第四行的对比：产能 170 万千克，产量 90 万千克 —— 这条链的瓶颈不在产能，在需求。

注意：一处必须带走的口径警告：USGS 对同一年份的数字反复上修 —— 2022 年由 550,000 上修到 610,000，2023 年由 610,000 上修到 633,000，2024 年由 760,000 上修到 848,000。跨版本拼接会造出一条不存在的增速曲线。本报告统一以 2026 年版为准。另外，「中国占产量 99%」与「中国占产能 94%」是两个数，不能混用。

管制的实际状态：一个被普遍忽略的最新变化

中国对镓的出口管制有三份文件，而第三份改变了现状：

（三份公告均取自商务部官网原文。第三份有独立交叉印证：USGS《矿产品摘要 2026》印刷页 82 记载「2025 年 11 月，中国解除了对美国的镓出口禁令，为期一年」。）

金句 截至本报告数据截止日 2026-09-08，对美镓出口的品类禁令处于暂停状态。任何仍在按「中国已禁止对美出口镓」讨论这条链的分析，都需要更新。

用量占比：一次可以复算的推算

判断一个环节是不是真的卡脖子，本报告用三道检验：价格有没有反应、用量占比够不够卡、有没有替代路线。先看用量。

推算的三件套（源数据 · 公式 · 假设）全部列出，可以自行复算（本报告推算）：

注意：这个推算会偏高，原因必须写明：稳懋与三安的产能里含光电产品（垂直腔面发射激光器、光通信芯片），不是纯射频。所以 134 万片是「射频 ＋ 光电」的合计，用它来算「射频用镓」是把光电那部分也算进去了。真实的射频部分要更低。

注意：关于晶棒到晶圆的成材率，本报告刻意没有把它乘进去，理由写在 USGS 的原文里：「旧废料回收为零。砷化镓器件制造过程中产生的大量新废料，在纽约的一处设施被再加工回收为高纯镓。」（《矿产品摘要 2026》，印刷页 82）加工损耗被回收了，不等量转化为原生镓需求。这一步如果不注意，推算结果会被高估两到三倍。

金句 推算结论（只给量级，不给精确值）：射频用砷化镓消耗的镓，相对全球高纯精炼镓年产量在一成上下，相对全球原生镓年产量不超过约 4%（推算本身偏高）。

这个量级说明：镓不是一个可以用「用量太小、卡不住」来打发的环节。

但真正决定风险方向的是第三点

金句 这条链上，材料端的地缘杠杆握在中国手里，而不是相反。

价格也印证了这一点。 USGS 给出的镓进口均价序列是：2021 年 277、2022 年 432、2023 年 365、2024 年 439、2025 年估计 580 美元/千克（出处：USGS《矿产品摘要 2026》，印刷页 82）。

注意：这个序列不能与更早的序列拼接。 2026 年版取消了高纯／低纯分档，改用不分纯度的海关进口均价；而 2025 年版给的是 2024 年高纯 500、低纯 220 美元/千克。同一年份两套数字，是口径断层不是价格暴涨。

2.6 钪：一个看起来是死穴、实际上不是的环节

体声波滤波器的核心是压电薄膜，而当前高性能体声波普遍使用掺钪氮化铝（机电耦合系数的实测数据见 6.1 节）。而中国自 2025 年 4 月起对钪实施出口管制。

表面上这构成一条完整的因果链：中国管制钪 → 体声波薄膜需要钪 → 高端滤波器被卡住。

金句 本报告的结论是：这条链在「用量占比」这一环上是断的。

先把法条读准

这里有一个常见的引用错误需要更正。市面上常说「中国 2025 年第 18 号公告对钪实施出口管制」—— 文号是对的，但这份公告的名称不是「对钪的出口管制」：

《商务部、海关总署公告 2025 年第 18 号 公布对部分中重稀土相关物项实施出口管制的决定》 管制元素共 7 种：钐、钆、铽、镝、镥、钪、钇 发布日期＝生效日期：2025-04-04

钪的部分清单原文是：1C907.a 金属钪、含钪的合金及相关制品（含钪铝合金、钪靶）；1C907.b 氧化钪及其混合物；1C907.c 含钪的化合物及其混合物。配套「说明」条写明：「所管制的靶材包括片、管等形态」。

也就是说：体声波滤波器所用的钪铝合金溅射靶材，同时落在 1C907.a.2 与 1C907.a.3 两个编码下，明确在管。

【定义 · 溅射靶材】在晶圆上镀一层薄膜的办法之一，是用离子去轰击一块金属板，把金属原子打飞、落到晶圆上。那块被轰击的金属板就叫靶材。 难点不在有没有金属，在于这块板的成分要极其均匀，否则镀出来的膜厚薄不一 —— 而膜厚偏差就是频率偏差（算式见 6.1 节）。

还有一条状态需要说清楚，因为它与镓的情况正好相反：

金句 钪的管制至今没有被暂停。

2025 年 11 月 7 日的第 70 号公告暂停了第 55、56、57、58、61、62 号，清单里没有 18 号。截至 2026-09-08，钪（含钪铝合金、钪靶、氧化钪）的出口管制仍然有效。

（交叉印证：USGS《矿产品摘要 2026》印刷页 167 独立记载「截至 2025 年 12 月，4 月的出口管制仍然有效，尽管中国已开始向部分出口商发放通用出口许可」。）

这条管制已经进入了美国龙头的法定风险因素。Skyworks 在 FY2025 的 10-K 里，把钪与镓并列写进了受中国 2025 年反制措施影响的材料清单：「材料的可获得性与成本，包括镓、锗、锑、钨、钼、钪及其他稀土金属／关键矿产」（出处：Skyworks 10-K FY2025，Item 1A，印刷页 19）。

支持「钪是射频前端咽喉之一」一方最硬的一手证据就是这一条：当事公司自己写进了风险因素。但它只证明存在采购风险，用量是否卡得住要看下面的推算。

用量占比：同样可以复算

金句 推算结论：体声波滤波器全行业一年消耗的钪，约占全球钪消费量的千分之一到千分之二。

把每一个假设都推到最不利的一端再算一遍（本报告推算）：薄膜取 1.5 微米（×3）；掺钪比例取上限 43%，钪的质量占比 = 0.43 × 44.956 ÷ (0.57 × 26.982 + 0.43 × 44.956 + 14.007) = 39.7%（约为基准的 2 倍，密度变化忽略）；靶材利用率取 10%；全球产量取 200 万片。单片消耗钪 = 0.0103 × 3 × 2 ÷ 10% ≈ 0.61 克，全行业年耗钪约 0.61 克 × 200 万 ≈ 1.2 吨，占 39 吨的约 3%。

在这个量级上，管制难以造成物理短缺：基准情景下全行业一年只耗几十千克钪，最不利情景也在 1 吨出头。

USGS 自己的用途描述也支持这一点：

「2025 年钪的主要用途是航空航天合金与固体氧化物燃料电池……钪的次要用途包括电子、军用装备合金和体育用品。」 —— USGS《矿产品摘要 2026》，印刷页 166

全球统计机构把射频电子归在钪的「次要用途」里。这与「射频前端是钪的主要消费方」这个印象正好相反。

那么钪管制的真实影响是什么

是许可流程带来的交付不确定性和采购成本上升，以及溅射靶材制造环节的集中。

金句 真正难的是把钪做成成分均匀、纯度合格的溅射靶材，而这项能力集中在极少数材料公司手中。

可以点名的一家是美国 Materion：它的铝钪靶材「能力中心」设在德国 Alzenau，其电子材料部门在全球有 7 座溅射靶制造厂（美国、德国、中国、新加坡）。商用铝钪靶的供货成分区间是掺钪 7% 到 43%，而 43% 就是钪在氮化铝中的掺杂上限（出处：Materion 官网技术页）。

Materion 自己对瓶颈的描述是：「更广泛使用铝钪靶材的主要障碍，是钪的高成本和相对有限的可获得性……它的提取和提纯成本高昂，导致半导体级高纯钪金属的全球产量水平很低」（同上）。

注意：但这一环节的份额数据，本报告明确未取得。查了 Materion 官网三篇铝钪技术页（全文无产能、无份额）、住友化学官网与历次增产新闻稿（找到的是光刻胶、高纯化学品、液晶聚合物的增产公告，没有一条是铝钪靶材）、Plansee 官网与公开检索（未找到任何铝钪靶材的产能或份额披露）。结论：这三家的铝钪靶材产能与份额，无一手来源可取。网上流传的份额说法未取得任何一手证实，本报告不采用。

价格：境内出厂价逐年在跌

判断卡脖子的第一道检验是「价格有没有反应」。钪的答案是：境内价格没有异动。

（出处：USGS《矿产品摘要 2026》，印刷页 166。口径：5–100 千克批量，中国出厂价。）

金句 一种被管制的材料，境内出厂价在 2021–2025 年的五个年度数据点上逐年走低（四次下跌），管制后未见境内价格异动。

这组数只能证明到这一步。出口管制的典型后果恰恰是境内价格走低、境外价格走高，而这里用的是中国出厂价；管制 2025 年 4 月才开始，序列里管制后只有 2025 年一个估计点。境外价格或进口价本报告没有取得，因此不能据此判定境外没有出现短缺。

注意：这个序列不能与旧版拼接。 USGS 更早的版本给的是「5 千克批量、美国零售商报价、单位美元/克」，2024 年为 1.20 美元/克（即 1,200 美元/千克）。660 与 1,200 的差别是「中国出厂大批量价」与「美国零售小批量价」，不是跌价。

两个问题类型的区别

金句 这是一个供应链集中度问题，不是一个卡脖子问题。

把前者叫成后者，会导致完全错误的应对 —— 去囤金属，而不是去建靶材能力。

2.7 上游小结：六个环节，性质各不相同

把本章六个环节放在一起，性质完全不同：

金句 上游这一章最重要的一句话：被市场反复讨论的两个环节（镓和钪），都不构成物理约束；而真正构成约束的两个环节（压电衬底与绝缘体上硅衬底），几乎没有人讨论。

这个反差本身就是一条判断：市场对上游风险的注意力分配，与实际的风险分布是错位的。原因也不难理解 —— 镓和钪有出口管制公告可以引用，而衬底产能只有在一家法国公司年报的第 30 页上写着。

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第三章 · 中游：器件、工艺与模组

中游是射频前端产业链的价值中枢，也是竞争最激烈的一层。本章按滤波器、功率放大器、开关与低噪声放大器三条线，说明每类器件的技术路线、玩家分布，以及「为什么是这些玩家」。

3.1 滤波器：分成两个几乎不相干的世界

金句 滤波器是射频前端价值量最大的单项，也是唯一一个至今没有被中国厂商在高端撕开的环节。

理解它必须先接受一个事实：

金句 声表面波和体声波不是同一个产品的两个档次，它们是两种物理机制，服务于两个基本不重叠的频段区间。

声表面波滤波器（Surface Acoustic Wave，SAW）利用的是沿压电材料表面传播的声波。它的谐振频率由表面那一组梳齿状电极的间距决定 —— 电极刻得越密，频率越高。这条路线在 1.5 吉赫兹以下有绝对的成本优势：工艺成熟、良率高、单价低。但频率越高，电极线宽越细，到了 2.5 吉赫兹以上，线宽逼近光刻工艺的极限，同时功率承受能力下降、温度漂移变大。

体声波滤波器（Bulk Acoustic Wave，BAW）利用的是在压电薄膜厚度方向上传播的声波。频率由薄膜的厚度决定，与光刻线宽无关。因此体声波在 2 吉赫兹以上具有声表面波无法企及的性能，功率容量和温度稳定性也更好。

代价是工艺极难，而难在一个可以量化的地方：

频率由厚度决定，意味着厚度的偏差就是频率的偏差 —— 薄膜厚一个百分点，频率就差一个百分点 —— 在 2.5 吉赫兹上，1% 就是 25 兆赫。而 1.1 节已经算过，n41 与 WiFi 之间总共只隔 12.5 兆赫（千分之五），真正的空白只有 1 兆赫。

这不是靠仿真或电路设计能补偿的，只能靠十几年的工艺迭代和大量的批次数据积累。

两种机制造就了一个泾渭分明的竞争格局。下表把频段、主导厂商、关键约束和中国厂商的位置放在一起：

（技术分类与频段范围出处：开源证券《射频前端空间广阔，高端突破正值当时》第 14–15 页表 4 与正文；厂商分布出处：同报告第 16–18 页；中国厂商进展出处：同报告第 17–18 页表 6，原始资料各公司官网。）

关键在「关键约束」那一行。声表面波那一列的约束是「成本」—— 这意味着谁都能进，比的是谁便宜；后两列的约束是衬底、专利、薄膜厚度控制 —— 这意味着不是谁想进就能进。

集中度的数字把这件事说得更直白：

图 5 · 2020 年声表面波与体声波滤波器的全球份额

数据来源：原始数据前瞻产业研究院；声表面波数据出处：开源证券同报告第 16 页图 26；体声波数据出处：同报告第 16 页图 27。这是 2020 年数据，更新的数据未取得。

金句 两类滤波器的集中度形态完全不同。

声表面波是四家分食，第一名 50%，还留着 5% 给「其他」；体声波是一家 87%，第二名 8%，两家加起来 95%。

这里有一处口径冲突需要交代。上面这组 2020 年声表面波份额，原始产生者是同一家（前瞻产业研究院），但被两家券商转载成了两个版本：

（出处：开源证券同报告第 16 页；东海证券《5G 助推射频前端高速发展》第 27 页。）

两个版本本报告都列，不私自选一个。差异落在村田是 50% 还是 47%、以及第四第五名是谁 —— 但两个版本对结论没有分歧：这是一个前四五家吃掉 95% 以上的市场。

还有一处更要紧的提醒：这两个版本都把 TDK 列为声表面波的主要玩家，而 TDK 早已退出这门生意。按 TDK 自己的有价证券报告书（第 124 期附注 21）：2016-01-13 签订与高通的合资契约，2017-02-03 完成事业移管并转让合资公司 RF360 的 51% 股权，2019-08-30 行使卖出选择权、2019-09-16 出售剩余 49%，作价 11.5 亿美元。

也就是说，「2020 年 TDK 占声表面波 20%」这个说法在数据发布的时点上就已经不成立了 —— 那部分产能与工艺当时已经在高通手里。

这条更正有两个用处。第一，它是一个具体的例子，说明三方研究机构的份额数据会滞后于交易事实，而滞后的方向通常是「把已经被收购的一方继续单列」。第二，它顺带解释了高通为什么能在自己不做声学器件出身的情况下拿到射频前端的头部份额（手机口径 2022 年第二、17%，2024 年第一、21%，见 5.1 节）—— 声学产线是买来的，这一点在 5.2 节会展开。

三段划分：中国厂商到底站在哪一段

把频段拉成一条直线，战场的分界线其实不落在「声表面波对体声波」这一刀上，而是分成三段：

金句 这个三段划分改变了「中国厂商已经拿下一半战场」这句话的含义：不是各占一半，而是已经拿下的那一段是三段里最不赚钱的，正在争夺的中间段还没落地，最赚钱的高频段没有规模位置。

5G 的新增频段恰好压在中间段和高频段上：n41（2.5GHz）、n77 / n78（3.5GHz）、n79（4.9GHz）。因此手机每多支持一个 5G 频段，中国滤波器厂商能覆盖的价值比例是下降的，不是上升的。

这一点有数据支撑。看滤波器市场内部的结构变化：

图 6 · 全球移动终端射频滤波器市场按技术拆分（亿美元）

数据来源：总量与体声波占比出处为开源证券同报告第 16 页正文，原始数据 Yole。体声波与非体声波的绝对值由本报告按占比计算：2018 年 53.92 × 26.19% = 14.1，其余 39.8；2025E 92.04 × 35.09% = 32.3，其余 59.7。

体声波从 14.1 亿增至 32.3 亿，增长 2.29 倍；非体声波从 39.8 亿增至 59.7 亿，增长 1.50 倍。

滤波器这个盘子在长，但长得快的那一半，正是中国厂商没有规模位置的那一半。需要说明的是，非体声波部分同样增长了一半，「滤波器市场的增量全部来自体声波」这个说法不成立。

一个比中国厂商更能说明壁垒有多硬的案例

论证「体声波是真壁垒」，最有力的证据不是中国厂商没做进去 —— 那可以被归因为起步晚、专利限制或地缘因素。更硬的证据是：一家美国本土的体声波创业公司，同样没能活下来。

事实链条如下，每一步都有法定文件：

金句 一家公司做了近十年体声波、上了市、拿到订单，最后的结局是被判赔约 5,800 万美元并被下永久禁令，随后申请破产重整、资产被出售。

这条证据的分量在于它剥离了所有地缘解释：Akoustis 是美国公司，不受出口管制约束，不存在市场准入问题，专利也在美国本土 —— 它面对的是纯粹的技术与法律壁垒，而它没跨过去。

中国厂商在体声波上到底走到哪一步

「基本空白」这个说法在 2026 年已经不够准确了，需要按「有没有量产」和「有没有规模份额」分开说。

有量产的证据：赛微电子以微机电工艺为基础的首款国产体声波滤波器已实现量产；武汉敏声与赛莱克斯北京的 8 英寸体声波滤波器联合产线已实现量产；汉天下的微机电滤波器芯片项目已通线，一期具备年产 9.6 亿颗体声波滤波器芯片的能力；天津诺思拥有亚洲首条 6 英寸体声波专用滤波芯片产线（出处：开源证券同报告第 17–18 页表 6，原始资料各公司官网）。

但「有产线」和「有份额」是两件事。本报告查了开源、国信、首创、东海、联储五份行业深度报告，没有任何一份给出中国厂商在体声波滤波器上的份额百分比 —— 五份全部只给定性分档（「基本被国外头部企业垄断」「部分量产」）。本报告因此不编这个数字，只按定性写。

还有一条容易被忽略的事实：天津诺思在 2020 年 12 月被列入美国出口管制实体清单，事由是窃取美国企业商业秘密（出处：美国联邦公报 85 FR 83420，2020-12-22 刊登、2020-12-18 生效）。这与上面的 Akoustis 案指向同一件事 —— 体声波这一环上，工艺 know-how 的争夺已经进入法律层面，而不只是技术层面。

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以上是免费试读部分（正文约 30%）。完整版包含全部 17 章正文、全部数据表与来源清单。